• 8.6ns(x)
• 8.9ns/13ns(N/P)(x)
• 27ns(x)
• 43ns(x)
• 51ns(x)
• 63ns(x)
• 119ns(x)
• 230ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(11)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(2)

Tranzystory z kanałem N THT(9)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

VISHAY(10)

Typ tranzystora

N-MOSFET (11)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (3)

Montaż

SMD(3)

THT(12)

Technologia

HEXFET®(5)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

50W(1)

74W(1)

125W(4)

130W(1)

150W(2)

180W(1)

190W(1)

214W(1)

517W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

24nC(1)

29nC(1)

44nC(2)

63nC(2)

70nC(3)

123nC(2)

140nC(1)

151nC(1)

360nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(14)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

0.8Ω(1)

0.14Ω(1)

0.18Ω(3)

0.55Ω(2)

2.0mΩ(1)

3Ω(1)

4.8mΩ(1)

29/58mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-200V(3)

30/-30V(1)

100V(1)

150V(1)

200V(5)

250V(1)

400V(2)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-12A(1)

1.6A(1)

6.3A(1)

6.5/-4.9A(1)

10A(1)

11A(2)

23A(1)

30A(2)

171A(1)

290A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

8ns(1)

12ns(1)

14ns(9)

15ns(1)

27ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

8.5ns(1)

8.6ns(1)

8.9ns/13ns(N/P)(1)

10ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(3)

34ns(1)

35ns(1)

36ns(1)

43ns(4)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(3)

55ns(3)

56ns(3)

58ns(2)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

66ns(1)

67ns(3)

73ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

86ns(1)

99ns(3)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

28ns(1)

33ns(1)

39ns(2)

41ns(2)

45ns(3)

47ns(1)

50ns(2)

74ns(1)

160ns(1)

Czas zanikania

16ns(1)

17ns/32ns(N/P)(1)

24ns(3)

33ns(2)

36ns(3)

38ns(2)

50ns(1)

84ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(15)

Obudowa

D2PAK(2)

SO8(1)

TO220AB(5)

TO247AC(6)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(14)

Tuba(1)

Price

-