• 180nC(x)
• 75V(x)
• 300V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

310W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

106.7nC(2)

160nC(1)

180nC(2)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.5mΩ(1)

8mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

300V(1)

Prąd drenu (A)

70A(1)

170A(1)

Czas załączania

19ns(1)

24ns(1)

Czas narastania

16ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

62ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

45ns(1)

100ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-