• 66.7nC(x)
• 113.3nC(x)
• 14ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

42nC(1)

44nC(2)

63nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(3)

113.3nC(1)

123nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

8mΩ(1)

25mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

55V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

57A(1)

98A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

9.2ns(1)

14ns(2)

17ns(1)

18ns(2)

Czas narastania

59ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

43ns(1)

58ns(1)

Czas zanikania

48ns(1)

70ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-