• 23.3nC(x)
• 44nC(x)
• 113.3nC(x)
• 123nC(x)
• 150nC(x)
• ±20V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(6)

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem N THT(6)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(6)

VISHAY(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (6)

P-MOSFET (3)

Montaż

THT(9)

Technologia

HEXFET®(6)

Moc rozpraszana (W)

68W(1)

82W(1)

125W(1)

150W(2)

180W(1)

190W(1)

214W(1)

370W(1)

Ładunek bramki

12.7nC(1)

22/23nC(1)

23.3nC(2)

24.7nC(1)

24nC(1)

25nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

35nC(1)

38.7nC(1)

38nC(2)

41nC(1)

42nC(2)

44.7nC(2)

44nC(2)

47.3nC(1)

61nC(1)

63nC(2)

64.7nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(3)

72nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

120nC(3)

123nC(2)

133.3nC(1)

140nC(1)

146nC(1)

150nC(2)

160nC(2)

170nC(1)

180nC(2)

210nC(3)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(9)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.3Ω(1)

0.4Ω(1)

0.5Ω(2)

3.7mΩ(1)

8mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-200V(2)

55V(1)

100V(1)

200V(3)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-6.8A(1)

-7.5A(1)

-19A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

30A(2)

98A(1)

180A(1)

Czas załączania

7.9ns(1)

13ns(1)

14ns(5)

17ns(1)

25ns(1)

Czas narastania

14ns(1)

43ns(4)

47ns(1)

55ns(1)

67ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

27ns(1)

30ns(1)

39ns(2)

41ns(2)

43ns(1)

78ns(1)

92ns(1)

Czas zanikania

15ns(1)

33ns(2)

38ns(2)

41ns(1)

44ns(1)

70ns(1)

88ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(9)

Obudowa

TO220AB(3)

TO247AC(5)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(9)

Price

-