• HEXFET®(x)
• 64.7nC(x)
• 360nC(x)
• TO247AC(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

140W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

64.7nC(1)

66.7nC(1)

110nC(2)

113.3nC(1)

123nC(1)

150nC(1)

151nC(1)

161nC(1)

180nC(2)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.117Ω(1)

2.0mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

-23A(1)

290A(1)

Czas załączania

15ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

67ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

51ns(1)

160ns(1)

Czas zanikania

51ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-