• 66nC(x)
• 123nC(x)
• ±20V(x)
• 14ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

110W(1)

150W(1)

214W(1)

Ładunek bramki

42nC(1)

44nC(2)

63nC(2)

66.7nC(1)

66nC(1)

70nC(3)

113.3nC(1)

123nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.29Ω(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-150V(1)

200V(2)

Prąd drenu (A)

-13A(1)

30A(2)

Czas załączania

14ns(3)

Czas narastania

36ns(1)

43ns(2)

Czas wyłączania

41ns(2)

53ns(1)

Czas zanikania

33ns(2)

37ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(1)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-