• 75mΩ(x)
• 43ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

214W(1)

Ładunek bramki

123nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.5Ω(2)

0.8Ω(1)

0.55Ω(2)

3Ω(1)

4.5mΩ(1)

12mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

200V(2)

Prąd drenu (A)

30A(2)

Czas załączania

14ns(2)

Czas narastania

43ns(2)

Czas wyłączania

41ns(2)

Czas zanikania

33ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(1)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-