• 13ns(x)
• 41ns(x)
• 110ns(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

68W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

5.3mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

55V(1)

Prąd drenu (A)

-19A(1)

133A(1)

Czas załączania

13ns(2)

Czas narastania

55ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

30ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

33ns(1)

37ns(1)

41ns(1)

44ns(1)

48ns(3)

50ns(1)

81ns(1)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-