• 7.7ns/18ns(N/P)(x)
• 31ns(x)
• 41ns(x)
• 43ns(x)
• 44ns(x)
• 50ns(x)
• 57ns(x)
• 58ns(x)
• 92ns(x)
• 110ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(8)

MOSFET z kanałem P(2)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N THT(8)

Tranzystory z kanałem P THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(5)

VISHAY(6)

Typ tranzystora

N-MOSFET (8)

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (2)

Montaż

SMD(1)

THT(10)

Technologia

HEXFET®(5)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

68W(1)

150W(1)

190W(3)

200W(2)

280W(2)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

25nC(1)

61nC(1)

70nC(1)

72nC(1)

106.7nC(1)

140nC(1)

150nC(1)

170nC(1)

210nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(10)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.2Ω(1)

0.4Ω(1)

0.14Ω(1)

0.27Ω(1)

0.75Ω(1)

5.3mΩ(1)

13mΩ(1)

19.7mΩ(1)

50/100mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(1)

30/-30V(1)

55V(1)

75V(1)

100V(1)

200V(1)

250V(2)

500V(2)

Prąd drenu (A)

-15A(1)

-19A(1)

4/-3A(1)

8.7A(1)

13A(1)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

65A(1)

82A(1)

133A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

11ns(1)

13ns(3)

15ns(1)

16ns(1)

17ns(1)

18ns(1)

22ns(1)

33ns(1)

Czas narastania

20ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

44ns(1)

47ns(1)

55ns(1)

59ns(1)

63ns(1)

64ns(1)

73ns(1)

99ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

21ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

30ns(1)

34ns(1)

49ns(1)

53ns(1)

74ns(1)

92ns(1)

110ns(2)

130ns(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

5.5ns(2)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

8.6ns(1)

14ns(2)

15ns(1)

16ns(2)

17ns/32ns(N/P)(1)

19ns(1)

24ns(4)

25ns(1)

31ns(1)

33ns(3)

35ns(1)

36ns(3)

37ns(2)

38ns(2)

40ns(3)

41ns(1)

43ns(1)

44ns(1)

45ns(1)

46ns(1)

47ns(1)

48ns(4)

50ns(2)

51ns(2)

53ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

63ns(1)

64.5ns(1)

67ns(1)

69ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

81ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

96ns(2)

100ns(1)

110ns(1)

120ns(1)

140ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(11)

Obudowa

SO8(1)

TO220AB(5)

TO247AC(5)

Rodzaj opakowania

Luz(10)

Tuba(1)

Price

-