• 51ns(x)
• 100ns(x)
• Wzbogacany(x)
• TO247AC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

140W(1)

310W(1)

Ładunek bramki

64.7nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.117Ω(1)

4.5mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

75V(1)

Prąd drenu (A)

-23A(1)

170A(1)

Czas załączania

15ns(1)

19ns(1)

Czas narastania

67ns(1)

140ns(1)

Czas wyłączania

51ns(1)

97ns(1)

Czas zanikania

33ns(1)

36ns(1)

38ns(1)

40ns(2)

44ns(1)

45ns(1)

48ns(3)

50ns(1)

51ns(1)

57ns(1)

58ns(1)

67ns(1)

70ns(1)

74ns(1)

84ns(1)

88ns(1)

92ns(1)

100ns(1)

260ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

SO8(2)

TO220AB(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-