• THT(x)
• 0.117Ω(x)
• 25mΩ(x)
• Wzbogacany(x)
• TO247AC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

140W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

64.7nC(1)

66.7nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(2)

0.4Ω(1)

0.5Ω(1)

0.14Ω(1)

0.18Ω(1)

0.27Ω(1)

0.75Ω(1)

0.117Ω(1)

1.46mΩ(1)

2.0mΩ(1)

3.7mΩ(1)

4.5mΩ(1)

4.8mΩ(1)

8mΩ(3)

25mΩ(1)

36mΩ(2)

40mΩ(2)

75mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

-23A(1)

57A(1)

Czas załączania

14ns(1)

15ns(1)

Czas narastania

59ns(1)

67ns(1)

Czas wyłączania

51ns(1)

58ns(1)

Czas zanikania

48ns(1)

51ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-