• ±20V(x)
• 170A(x)
• 100ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

Montaż

THT(1)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

310W(1)

Ładunek bramki

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.5mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(1)

Prąd drenu (A)

170A(1)

Czas załączania

19ns(1)

Czas narastania

140ns(1)

Czas wyłączania

97ns(1)

Czas zanikania

33ns(2)

36ns(2)

40ns(2)

48ns(2)

67ns(1)

100ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(1)

Obudowa

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Price

-