• 100V(x)
• 48ns(x)
• 88ns(x)
• 260ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

200W(1)

370W(1)

520W(1)

Ładunek bramki

66.7nC(1)

150nC(1)

360nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

2.0mΩ(1)

3.7mΩ(1)

25mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

75V(2)

100V(3)

200V(2)

Prąd drenu (A)

57A(1)

180A(1)

290A(1)

Czas załączania

14ns(1)

25ns(1)

52ns(1)

Czas narastania

59ns(1)

67ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

58ns(1)

78ns(1)

160ns(1)

Czas zanikania

24ns(1)

25ns(1)

35ns(1)

40ns(3)

43ns(1)

47ns(1)

48ns(1)

88ns(1)

260ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-