• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• 120nC(x)
• 86ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

Typ tranzystora

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(1)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

200W(1)

Ładunek bramki

70nC(1)

86.6nC(1)

120nC(1)

123nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

60mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

Prąd drenu (A)

-40A(1)

Czas załączania

17ns(1)

Czas narastania

86ns(1)

99ns(2)

Czas wyłączania

79ns(1)

Czas zanikania

81ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(1)

Obudowa

TO220AB(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Price

-