• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• 200V(x)
• 20ns(x)
• 43ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

190W(1)

214W(1)

Ładunek bramki

70nC(1)

123nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

19.7mΩ(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(1)

60V(1)

200V(3)

Prąd drenu (A)

30A(2)

65A(1)

Czas załączania

14ns(2)

33ns(1)

Czas narastania

14ns(1)

19ns(2)

20ns(1)

43ns(2)

60ns(2)

105ns(1)

Czas wyłączania

21ns(1)

41ns(2)

Czas zanikania

31ns(1)

33ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(1)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Tuba(1)

Price

-