• VISHAY(x)
• THT(x)
• 29nC(x)
• 210nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(3)

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory z kanałem N THT(3)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

VISHAY(4)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

P-MOSFET (1)

Montaż

THT(4)

Moc rozpraszana (W)

74W(1)

280W(2)

Ładunek bramki

24nC(1)

26nC(1)

29nC(1)

38nC(3)

44nC(2)

61nC(1)

63nC(1)

70nC(2)

72nC(1)

140nC(1)

150nC(1)

210nC(3)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(4)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.8Ω(1)

0.27Ω(1)

0.75Ω(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-200V(1)

250V(1)

400V(1)

500V(1)

Prąd drenu (A)

-4A(1)

13A(1)

14A(1)

24A(1)

Czas załączania

12ns(1)

18ns(2)

22ns(1)

Czas narastania

27ns(1)

59ns(1)

79ns(1)

99ns(1)

Czas wyłączania

28ns(1)

100ns(1)

110ns(2)

Czas zanikania

24ns(1)

58ns(1)

67ns(1)

92ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(4)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(3)

Rodzaj opakowania

Luz(4)

Price

-