• HEXFET®(x)
• 14ns(x)
• 43ns(x)
• 59ns(x)
• TO247AC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(2)

Tranzystory z kanałem N THT(2)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

200W(1)

214W(1)

Ładunek bramki

66.7nC(1)

123nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

25mΩ(1)

75mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(1)

200V(1)

Prąd drenu (A)

30A(1)

57A(1)

Czas załączania

14ns(2)

Czas narastania

43ns(1)

59ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

41ns(1)

58ns(1)

Czas zanikania

33ns(1)

48ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(2)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-