• P-MOSFET (x)
• ±20V(x)
• 41ns(x)
• 51ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem P(3)

Tranzystory z kanałem P THT(3)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

P-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

68W(1)

79W(1)

140W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

64.7nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.1Ω(1)

0.117Ω(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

-100V(2)

Prąd drenu (A)

-19A(1)

-23A(2)

Czas załączania

13ns(1)

15ns(2)

Czas narastania

55ns(1)

67ns(2)

Czas wyłączania

30ns(1)

51ns(2)

Czas zanikania

24ns(1)

37ns(2)

38ns(2)

41ns(1)

46ns(1)

51ns(2)

57ns(1)

63ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(2)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-