• 43ns(x)
• 60.5ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

ONSEMI(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(2)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

150W(1)

214W(1)

Ładunek bramki

28nC(1)

123nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.2Ω(1)

75mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

200V(2)

600V(1)

Prąd drenu (A)

7.5A(1)

30A(2)

Czas załączania

14ns(2)

16.5ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

43ns(2)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(2)

55ns(1)

56ns(3)

58ns(1)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

67ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

99ns(1)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

41ns(2)

81ns(1)

Czas zanikania

33ns(2)

64.5ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220F(1)

TO247AC(1)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Tuba(1)

Price

-