• 60.5ns(x)
• 99ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

ONSEMI(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

Ładunek bramki

28nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.75Ω(1)

1.2Ω(1)

Napięcie dren-źródło (V)

250V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

7.5A(1)

24A(1)

Czas załączania

16.5ns(1)

22ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

43ns(2)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(2)

55ns(1)

56ns(3)

58ns(1)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

67ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

99ns(1)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

81ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

64.5ns(1)

92ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220F(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Tuba(1)

Price

-