• 60.5ns(x)
• 63ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

ONSEMI(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

190W(1)

Ładunek bramki

28nC(1)

140nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.14Ω(1)

1.2Ω(1)

Napięcie dren-źródło (V)

250V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

7.5A(1)

23A(1)

Czas załączania

15ns(1)

16.5ns(1)

Czas narastania

8.6ns(1)

14ns(1)

15ns(1)

16ns(2)

19ns(2)

20ns(1)

22ns(1)

23ns(1)

27ns(1)

34ns(1)

35ns(1)

43ns(2)

44ns(1)

47ns(1)

51ns(2)

55ns(1)

56ns(3)

58ns(1)

59ns(2)

60.5ns(1)

60ns(2)

63ns(1)

64ns(2)

67ns(1)

78ns(1)

79ns(1)

99ns(1)

100ns(1)

105ns(1)

119ns(1)

140ns(1)

140ns(1)

150ns(1)

190ns(2)

220ns(1)

230ns(1)

Czas wyłączania

74ns(1)

81ns(1)

Czas zanikania

50ns(1)

64.5ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220F(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Tuba(1)

Price

-