• 200W(x)
• 42A(x)
• 80A(x)
• 133A(x)
• Wzbogacany(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

160W(1)

200W(3)

Ładunek bramki

133.3nC(1)

146nC(1)

170nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

5.3mΩ(1)

8mΩ(1)

42mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

55V(2)

150V(1)

Prąd drenu (A)

42A(1)

57A(2)

80A(1)

82A(2)

133A(1)

162A(1)

Czas załączania

12ns(1)

13ns(1)

Czas narastania

55ns(1)

190ns(1)

Czas wyłączania

71ns(1)

130ns(1)

Czas zanikania

69ns(1)

110ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(3)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-