• 7.5A(x)
• 171A(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

ONSEMI(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(1)

QFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

28nC(1)

151nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±30V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.2Ω(1)

4.8mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

150V(1)

600V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

1.6A(1)

2.9A(2)

5.1A(1)

7.5A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(2)

11A(1)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

65A(1)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(2)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

171A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

16.5ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

60.5ns(1)

119ns(1)

Czas wyłączania

47ns(1)

81ns(1)

Czas zanikania

64.5ns(1)

84ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220F(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(1)

Tuba(1)

Price

-