• 20A(x)
• 98A(x)
• Wzbogacany(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(1)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

150W(2)

Ładunek bramki

72nC(1)

113.3nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

8mΩ(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

55V(1)

100V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

1.6A(1)

2.9A(2)

5.1A(1)

7.5A(1)

8.7A(1)

9.5A(1)

10A(2)

11A(1)

13A(1)

14A(1)

17A(1)

18A(2)

20A(1)

23A(1)

24A(1)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

65A(1)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(2)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

171A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

11ns(1)

14ns(1)

Czas narastania

44ns(1)

100ns(1)

Czas wyłączania

43ns(1)

53ns(1)

Czas zanikania

43ns(1)

70ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-