• INFINEON TECHNOLOGIES(x)
• 113.3nC(x)
• 146nC(x)
• 151nC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(3)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(3)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

200W(1)

517W(1)

Ładunek bramki

23.3nC(1)

24.7nC(1)

42nC(1)

44.7nC(2)

47.3nC(1)

66.7nC(1)

70nC(1)

73.3nC(1)

86.6nC(2)

86.7nC(1)

106.7nC(2)

110nC(2)

113.3nC(1)

123nC(2)

133.3nC(1)

146nC(1)

150nC(1)

151nC(1)

160nC(2)

161nC(1)

170nC(1)

180nC(2)

234nC(2)

360nC(1)

380nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.8mΩ(1)

8mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

55V(2)

150V(1)

Prąd drenu (A)

80A(1)

98A(1)

171A(1)

Czas załączania

14ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

100ns(1)

119ns(1)

Czas wyłączania

43ns(1)

47ns(1)

Czas zanikania

70ns(1)

84ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-