• VISHAY(x)
• 72nC(x)
• 140nC(x)
• ±20V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

190W(1)

Ładunek bramki

24nC(1)

26nC(1)

38nC(2)

63nC(1)

70nC(2)

72nC(1)

140nC(1)

150nC(1)

210nC(3)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.14Ω(1)

77mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(1)

250V(1)

Prąd drenu (A)

20A(1)

23A(1)

Czas załączania

11ns(1)

15ns(1)

Czas narastania

44ns(1)

63ns(1)

Czas wyłączania

53ns(1)

74ns(1)

Czas zanikania

43ns(1)

50ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-