• 0.18Ω(x)
• 0.75Ω(x)
• 75mΩ(x)
• TO247AC(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(1)

VISHAY(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (3)

Montaż

THT(3)

Technologia

HEXFET®(1)

Moc rozpraszana (W)

150W(1)

214W(1)

Ładunek bramki

70nC(1)

123nC(1)

210nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(3)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.2Ω(1)

0.4Ω(1)

0.14Ω(1)

0.18Ω(1)

0.27Ω(1)

0.75Ω(1)

1.46mΩ(1)

2.0mΩ(1)

3.7mΩ(1)

4.5mΩ(1)

4.8mΩ(1)

8mΩ(3)

25mΩ(1)

36mΩ(2)

40mΩ(2)

75mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

200V(2)

250V(1)

Prąd drenu (A)

-12A(1)

24A(1)

30A(1)

Czas załączania

14ns(2)

22ns(1)

Czas narastania

43ns(1)

51ns(1)

99ns(1)

Czas wyłączania

41ns(1)

45ns(1)

110ns(1)

Czas zanikania

33ns(1)

36ns(1)

92ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(3)

Obudowa

TO220AB(6)

TO247AC(3)

TO247AD(1)

Rodzaj opakowania

Luz(3)

Price

-