• 110nC(x)
• 36mΩ(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

160W(2)

Ładunek bramki

73.3nC(1)

110nC(2)

150nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

36mΩ(2)

Napięcie dren-źródło (V)

100V(2)

Prąd drenu (A)

30A(2)

Czas załączania

11ns(2)

Czas narastania

56ns(2)

Czas wyłączania

45ns(2)

Czas zanikania

40ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-