• HEXFET®(x)
• 70A(x)
• 171A(x)
• Luz(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

517W(2)

Ładunek bramki

151nC(1)

180nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(1)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

4.8mΩ(1)

8mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

150V(1)

300V(1)

Prąd drenu (A)

9.5A(1)

17A(1)

18A(2)

30A(6)

33A(1)

36A(1)

42A(2)

57A(2)

70A(1)

80A(1)

81A(2)

82A(2)

98A(1)

130A(2)

133A(1)

162A(1)

170A(1)

171A(1)

180A(1)

290A(1)

350A(1)

Czas załączania

24ns(1)

27ns(1)

Czas narastania

16ns(1)

119ns(1)

Czas wyłączania

47ns(1)

62ns(1)

Czas zanikania

45ns(1)

84ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO247AC(2)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-