• 51ns(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

P-MOSFET (2)

Montaż

THT(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

79W(1)

140W(1)

Ładunek bramki

64.7nC(2)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

0.117Ω(2)

Napięcie dren-źródło (V)

-100V(2)

Prąd drenu (A)

-23A(2)

Czas załączania

15ns(2)

Czas narastania

67ns(2)

Czas wyłączania

51ns(2)

Czas zanikania

24ns(1)

37ns(2)

38ns(2)

41ns(1)

46ns(1)

51ns(2)

57ns(1)

63ns(1)

81ns(1)

96ns(2)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-