• ONSEMI(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

Bipolarne(1)

MOSFET z kanałem N(1)

Tranzystory bipolarne pojedyncze(1)

Tranzystory z kanałem N THT(1)

Unipolarne(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(57)

ONSEMI(2)

TOSHIBA(9)

VISHAY(20)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

NPN(1)

Montaż

THT(2)

Technologia

QFET®(1)

Si(1)

Moc rozpraszana (W)

48W(1)

100W(1)

Ładunek bramki

28nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±30V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

1.2Ω(1)

Napięcie dren-źródło (V)

600V(1)

Prąd drenu (A)

7.5A(1)

Czas załączania

16.5ns(1)

Czas narastania

60.5ns(1)

Czas wyłączania

81ns(1)

Czas zanikania

64.5ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

TO220AB(1)

TO220F(1)

Rodzaj opakowania

Tuba(2)

Price

-