• 21nC(x)
• 25nC(x)
• SO8(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem N(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem N SMD(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N-MOSFET (1)

N/P-MOSFET(1)

Montaż

SMD(2)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

1.4W(1)

2.5W(1)

Ładunek bramki

21nC(1)

22/23nC(1)

25nC(1)

35nC(1)

41nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V(1)

±20V(1)

Rezystancja w stanie przewodzenia

12mΩ(1)

50/100mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

30/-30V(1)

30V(1)

Prąd drenu (A)

4/-3A(1)

11A(1)

Czas załączania

6.8ns/11ns(N/P)(1)

7.8ns(1)

Czas narastania

2.5ns(1)

21ns/17ns(N/P)(1)

Czas wyłączania

19ns(1)

22ns/25ns(N/P)(1)

Czas zanikania

4.0ns(1)

7.7ns/18ns(N/P)(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

SO8(2)

TO220AB(5)

TO247AC(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-