zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRF7467PBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 11A; 2.5W; SO8
IRF7467PBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 11A; 2.5W; SO8

IRF7467PBF

Indeks: IRF7467PBF

6,03 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 30V; 11A; 2.5W; SO8

Ilość

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

11A

Napięcie dren-źródło (V)

30V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

12mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±12V

Moc rozpraszana (W)

2.5W

Ładunek bramki

21nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

SMD

Obudowa

SO8

Rodzaj opakowania

Luz
IRF7467PBF

Opis

Prąd drenu (A)
11A
Napięcie dren-źródło (V)
30V
Rezystancja w stanie przewodzenia
12mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±12V
Moc rozpraszana (W)
2.5W
Obudowa
SO8
Montaż
SMD
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
21nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+150°C
Czas wyłączania
19ns
Czas załączania
7.8ns
Czas zanikania
4.0ns
Czas narastania
2.5ns

Pliki do pobrania

IRF7467PBF

IRF7467PBF

Pliki do pobrania (115.24KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: