zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRF3710PBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
IRF3710PBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB

IRF3710PBF

Indeks: IRF3710PBF

4,92 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 57A; 200W; TO220AB

Ilość

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

57A

Napięcie dren-źródło (V)

100V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

23mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

200W

Ładunek bramki

86.7nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz
IRF3710PBF

Opis

Prąd drenu (A)
57A
Napięcie dren-źródło (V)
100V
Rezystancja w stanie przewodzenia
23mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
200W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
86.7nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
45ns
Czas załączania
12ns
Czas zanikania
47ns
Czas narastania
58ns

Pliki do pobrania

IRF3710PBF

IRF3710PBF

Pliki do pobrania (217.18KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: