zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

VISHAY

Typ tranzystora

N-MOSFET

Prąd drenu (A)

11A

Prąd drenu w impulsie (A)

72A

Napięcie dren-źródło (V)

200V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

180mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

130W

Ładunek bramki

70nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

SMD

Obudowa

D2PAK

Rodzaj opakowania

Luz

IRF640STRLPBF

Opis

Prąd drenu (A)
11A
Napięcie dren-źródło (V)
200V
Rezystancja w stanie przewodzenia
0.18Ω
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
130W
Obudowa
D2PAK
Montaż
SMD
Producent
VISHAY
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
70nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+150°C
Czas wyłączania
45ns
Czas załączania
14ns
Czas zanikania
36ns
Czas narastania
51ns

Pliki do pobrania

IRF640STRLPBF

IRF640STRLPBF

Pliki do pobrania (215.36KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: