zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRF7854TRPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 10A; 2.5W; SO8
IRF7854TRPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 10A; 2.5W; SO8

IRF7854TRPBF

Indeks: IRF7854TRPBF

3,69 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 80V; 10A; 2.5W; SO8

Ilość

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

10A

Napięcie dren-źródło (V)

80V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

13.4mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

2.5W

Ładunek bramki

41nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

SMD

Obudowa

SO8

Rodzaj opakowania

Luz
IRF7854TRPBF

Opis

Prąd drenu (A)
10A
Napięcie dren-źródło (V)
80V
Rezystancja w stanie przewodzenia
13.4mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
2.5W
Obudowa
SO8
Montaż
SMD
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
41nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+150°C
Czas wyłączania
15ns
Czas załączania
9.4ns
Czas zanikania
8.6ns
Czas narastania
8.5ns

Pliki do pobrania

IRF7854TRPBF

IRF7854TRPBF

Pliki do pobrania (226.11KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: