zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRF840APBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; Idm: 32A; 125W
IRF840APBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; Idm: 32A; 125W

IRF840APBF

Indeks: IRF840APBF

4,50 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB

Ilość

Specyfikacja

Producent

VISHAY

Typ tranzystora

N-MOSFET

Prąd drenu (A)

5.1A

Napięcie dren-źródło (V)

500V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

0.85Ω

Napięcie bramka-źródło (V)

±30V

Moc rozpraszana (W)

125W

Ładunek bramki

38nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz
IRF840APBF

Opis

Prąd drenu (A)
5.1A
Napięcie dren-źródło (V)
500V
Rezystancja w stanie przewodzenia
0.85Ω
Napięcie bramka-źródło (V)
±30V
Moc rozpraszana (W)
125W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
VISHAY
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
38nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+150°C
Czas wyłączania
26ns
Czas załączania
11ns
Czas zanikania
19ns
Czas narastania
23ns

Pliki do pobrania

IRF840APBF

IRF840APBF

Pliki do pobrania (285.42KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: