zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Prąd drenu (A)

50A

Napięcie dren-źródło (V)

200V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

40mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

300W

Ładunek bramki

234nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO247AC

Rodzaj opakowania

Luz

IRFP260NPBF

Opis

Prąd drenu (A)
30A
Napięcie dren-źródło (V)
200V
Rezystancja w stanie przewodzenia
40mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
300W
Obudowa
TO247AC
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
234nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
55ns
Czas załączania
17ns
Czas zanikania
48ns
Czas narastania
60ns

Pliki do pobrania

IRFP260NPBF

IRFP260NPBF

Pliki do pobrania (168.81KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: