zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

140A

Napięcie dren-źródło (V)

75V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

7mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

330W

Ładunek bramki

150nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF3808PBF

Opis

Prąd drenu (A)
81A
Napięcie dren-źródło (V)
60V
Rezystancja w stanie przewodzenia
12mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
170W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
86.6nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
68ns
Czas załączania
16ns
Czas zanikania
120ns
Czas narastania
140ns

Pliki do pobrania

IRF3808PBF

IRF3808PBF

Pliki do pobrania (134.86KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: