zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRFP4668PBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
IRFP4668PBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC

IRFP4668PBF

Indeks: IRFP4668PBF

38,13 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 130A; 520W; TO247AC

Ilość

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Prąd drenu (A)

130A

Napięcie dren-źródło (V)

200V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

8.0mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±30V

Moc rozpraszana (W)

520W

Ładunek bramki

161nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO247AC

Rodzaj opakowania

Luz
IRFP4668PBF

Opis

Prąd drenu (A)
130A
Napięcie dren-źródło (V)
200V
Rezystancja w stanie przewodzenia
8mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±30V
Moc rozpraszana (W)
520W
Obudowa
TO247AC
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
161nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
64ns
Czas załączania
41ns
Czas zanikania
74ns
Czas narastania
105ns

Pliki do pobrania

IRFP4668PBF

IRFP4668PBF

Pliki do pobrania (287.41KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: