zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

82A

Napięcie dren-źródło (V)

75V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

13mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

200W

Ładunek bramki

106.7nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

SMD

Obudowa

D2PAK

Rodzaj opakowania

Luz

IRF2807STRLPBF

Opis

Prąd drenu (A)
82A
Napięcie dren-źródło (V)
75V
Rezystancja w stanie przewodzenia
13mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
200W
Obudowa
D2PAK
Montaż
SMD
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
106.7nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
49ns
Czas załączania
13ns
Czas zanikania
48ns
Czas narastania
64ns

Pliki do pobrania

IRF2807STRLPBF

IRF2807STRLPBF

Pliki do pobrania (272.95KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: