zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRF1310NPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
IRF1310NPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB

IRF1310NPBF

Indeks: IRF1310NPBF

6,03 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 42A; 160W; TO220AB

Ilość

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

42A

Napięcie dren-źródło (V)

100V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

36mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

160W

Ładunek bramki

73.3nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz
IRF1310NPBF

Opis

Prąd drenu (A)
42A
Napięcie dren-źródło (V)
100V
Rezystancja w stanie przewodzenia
36mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
160W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
73.3nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
45ns
Czas załączania
11ns
Czas zanikania
40ns
Czas narastania
56ns

Pliki do pobrania

IRF1310NPBF

IRF1310NPBF

Pliki do pobrania (101.89KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: