zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Prąd drenu (A)

350A

Napięcie dren-źródło (V)

75V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

1.46mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

520W

Ładunek bramki

380nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO247AC

Rodzaj opakowania

Luz

IRFP4368PBF

Opis

Prąd drenu (A)
350A
Napięcie dren-źródło (V)
75V
Rezystancja w stanie przewodzenia
1.46mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
520W
Obudowa
TO247AC
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
380nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
170ns
Czas załączania
43ns
Czas zanikania
260ns
Czas narastania
220ns

Pliki do pobrania

IRFP4368PBF

IRFP4368PBF

Pliki do pobrania (277.71KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: