zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

36A

Napięcie dren-źródło (V)

92V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

26.5mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

92W

Ładunek bramki

42nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF540ZPBF

Opis

Prąd drenu (A)
36A
Napięcie dren-źródło (V)
100V
Rezystancja w stanie przewodzenia
26.5mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
92W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
42nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny

Pliki do pobrania

IRF540ZPBF

IRF540ZPBF

Pliki do pobrania (302.62KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: