zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

VISHAY

Typ tranzystora

N-MOSFET

Prąd drenu (A)

1.6A

Napięcie dren-źródło (V)

500V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

50W

Ładunek bramki

24nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF820PBF

Opis

Prąd drenu (A)
1.6A
Napięcie dren-źródło (V)
500V
Rezystancja w stanie przewodzenia
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
50W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
VISHAY
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
24nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+150°C
Czas wyłączania
33ns
Czas załączania
8ns
Czas zanikania
16ns
Czas narastania
8.6ns

Pliki do pobrania

IRF820PBF

IRF820PBF

Pliki do pobrania (152.67KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: