zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

VISHAY

Typ tranzystora

N-MOSFET

Prąd drenu (A)

3.5A

Napięcie dren-źródło (V)

400V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

1Ω

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

74W

Ładunek bramki

38nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF730PBF

Opis

Prąd drenu (A)
2.9A
Napięcie dren-źródło (V)
500V
Rezystancja w stanie przewodzenia
1.5Ω
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
74W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
VISHAY
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
38nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+150°C
Czas wyłączania
38ns
Czas załączania
10ns
Czas zanikania
14ns
Czas narastania
15ns

Pliki do pobrania

IRF730PBF

IRF730PBF

Pliki do pobrania (148.07KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: