zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRF7494TRPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8
IRF7494TRPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8

IRF7494TRPBF

Indeks: IRF7494TRPBF

4,31 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 5.1A; 2.5W; SO8

Ilość

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

5.1A

Napięcie dren-źródło (V)

150V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

44mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

2.5W

Ładunek bramki

35nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

SMD

Obudowa

SO8

Rodzaj opakowania

Luz
IRF7494TRPBF

Opis

Prąd drenu (A)
5.1A
Napięcie dren-źródło (V)
150V
Rezystancja w stanie przewodzenia
44mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
2.5W
Obudowa
SO8
Montaż
SMD
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
35nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+150°C
Czas wyłączania
29ns
Czas załączania
9ns
Czas zanikania
14ns
Czas narastania
10ns

Pliki do pobrania

IRF7494TRPBF

IRF7494TRPBF

Pliki do pobrania (228.82KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: