zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).

×

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

33A

Napięcie dren-źródło (V)

100V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

44mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

140W

Ładunek bramki

47.3nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz

IRF540NPBF

Opis

Prąd drenu (A)
33A
Napięcie dren-źródło (V)
100V
Rezystancja w stanie przewodzenia
44mΩ
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
140W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
47.3nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
39ns
Czas załączania
11ns
Czas zanikania
35ns
Czas narastania
35ns

Pliki do pobrania

IRF540NPBF

IRF540NPBF

Pliki do pobrania (102.87KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: