zamknij

Informujemy, iż nasz sklep internetowy wykorzystuje technologię plików cookies a jednocześnie nie zbiera w sposób automatyczny żadnych informacji, z wyjątkiem informacji zawartych w tych plikach (tzw. „ciasteczkach”).
Wyczyść Zrobione
×
    IRF640NPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
IRF640NPBF | Tranzystor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB

IRF640NPBF

Indeks: IRF640NPBF

3,08 zł
Brutto

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 18A; 150W; TO220AB

Ilość

Specyfikacja

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES

Typ tranzystora

N-MOSFET

Technologia

HEXFET®

Prąd drenu (A)

18A

Napięcie dren-źródło (V)

200V

Rezystancja w stanie przewodzenia  RDS(on)

150mΩ

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V

Moc rozpraszana (W)

150W

Ładunek bramki

44.7nC

Rodzaj kanału

Wzbogacany

Polaryzacja

Unipolarny

Montaż

THT

Obudowa

TO220AB

Rodzaj opakowania

Luz
IRF640NPBF

Opis

Prąd drenu (A)
18A
Napięcie dren-źródło (V)
200V
Rezystancja w stanie przewodzenia
0.15Ω
Napięcie bramka-źródło (V)
±20V
Moc rozpraszana (W)
150W
Obudowa
TO220AB
Montaż
THT
Producent
INFINEON TECHNOLOGIES
Rodzaj opakowania
Luz
Typ tranzystora
N-MOSFET
Ładunek bramki
44.7nC
Rodzaj kanału
Wzbogacany
Technologia
HEXFET®
Polaryzacja
Unipolarny
Temperatura pracy
-55...+175°C
Czas wyłączania
23ns
Czas załączania
10ns
Czas zanikania
5.5ns
Czas narastania
19ns

Pliki do pobrania

IRF640NPBF

IRF640NPBF

Pliki do pobrania (243.4KB)

16 innych produktów w tej samej kategorii: