• SMD(x)
• 22/23nC(x)
• 120nC(x)
• ±20V(x)
• Wyczyść wszystko(x)

Kategorie

MOSFET z kanałem P(1)

Tranzystory wielokanałowe(1)

Tranzystory z kanałem P THT(1)

Producent

INFINEON TECHNOLOGIES(2)

Typ tranzystora

N/P-MOSFET(1)

P-MOSFET (1)

Montaż

SMD(2)

THT(5)

Technologia

HEXFET®(2)

Moc rozpraszana (W)

2W(1)

200W(1)

Ładunek bramki

22/23nC(1)

25nC(1)

35nC(1)

41nC(1)

44.7nC(1)

63nC(1)

70nC(1)

106.7nC(1)

120nC(1)

Napięcie bramka-źródło (V)

±20V(2)

Rezystancja w stanie przewodzenia

20mΩ(1)

29/58mΩ(1)

Napięcie dren-źródło (V)

-55V(1)

30/-30V(1)

Prąd drenu (A)

-74A(1)

6.5/-4.9A(1)

Czas załączania

8.1ns/13ns(N/P)(1)

18ns(1)

Czas narastania

8.9ns/13ns(N/P)(1)

99ns(1)

Czas wyłączania

26ns/34ns(N/P)(1)

61ns(1)

Czas zanikania

17ns/32ns(N/P)(1)

96ns(1)

Rodzaj kanału

Wzbogacany(2)

Obudowa

D2PAK(1)

SO8(1)

Rodzaj opakowania

Luz(2)

Price

-